南亞科技
南亞科技股份有限公司（Nanya Technology Corporation），簡稱南亞科，是臺灣一家專營動態隨機存取記憶體研發、設計、製造與銷售的半導體公司，總部與主要生產基地位於新北市泰山區南林科技園區。
概述
南亞科技股份有限公司（Nanya Technology Corporation），簡稱南亞科，是臺灣一家專營動態隨機存取記憶體研發、設計、製造與銷售的半導體公司，總部與主要生產基地位於新北市泰山區南林科技園區。 南亞科技是台塑集團旗下南亞塑膠轉投資設立的事業，1995年3月4日成立，2000年8月在臺灣證券交易所掛牌上市，股票代號2408。 在由三星電子、SK海力士與美光科技三家廠商合計約占九成市場的DRAM產業中，南亞科技屬於規模遠小於前三大的供應商，依其年報所載，2025年市場占有率約1.4%。 南亞科技的產品以標準型DRAM與低功耗行動DRAM為主，涵蓋DDR3、DDR4、DDR5與LPDDR4、LPDDR5等系列，並提供良裸晶、多晶片封裝與記憶體模組，另有針對消費市場的自有品牌Elixir。 與競逐最先進節點的三大廠不同，南亞科技長期以成熟節點的消費性與利基型產品為主戰場，產品集中應用於電視、機上盒、網通設備、工業控制與車用電子等領域。 2020年之前，南亞科技的製程技術主要來自沖電氣工業、IBM、英飛凌、奇夢達與美光等外國廠商的授權或共同開發；2020年1月宣布以自主研發完成10奈米級記憶體單元技術後，轉為自行推進1A至1E等多個世代。 南亞科技的發展與DRAM產業劇烈的價格循環緊密相扣。創立初期依靠技術引進站穩腳步，2002年與英飛凌合資成立華亞科技切入12吋晶圓生產；2008年金融海嘯期間單年虧損逾新台幣350億元，翌年辦理66.43%的大幅減資並由台塑集團關係企業私募增資，同時拒絕加入政府主導的台灣記憶體公司整併計畫。 2016年12月，南亞科技將所持華亞科技股份售予美光，換得現金與美光股權，並自此走上技術自主的路線。 2020年代前期，南亞科技一度連續多季虧損，2023年營收跌至新台幣298.9億元的谷底；隨著人工智慧帶動記憶體需求、三大廠將產能轉向高頻寬記憶體與DDR5而留下DDR4供給缺口，南亞科技2025年營收回升至665.9億元，2026年上半年更達1,316.4億元，稅後淨利762.5億元。 2026年3月，南亞科技以新台幣787.18億元辦理私募，引進晟碟、鎧俠、Solidigm與思科四家客戶入股；同年8月董事會通過泰山5A新廠2026年至2029年上限新台幣3,466億元的資本支出計畫，並將首度導入極紫外光微影設備。
創立與技術引進
台塑集團投入DRAM的起點是1994年5月南亞塑膠與日本沖電氣工業簽訂的16Mb DRAM技術移轉合約；1995年1月晶圓一廠動土，同年3月4日南亞科技正式成立，4月由南亞塑膠、沖電氣工業與南亞科技三方簽署備忘錄，將原技轉案的權利義務移交新公司。 據中時新聞網報導，切入DRAM的構想由台塑集團創辦人王永慶之子王文洋提出，經王永慶採納後於1995年由南亞塑膠主導成立。 1996年7月16Mb DRAM試產成功，同年10月開始銷售，11月再與沖電氣工業簽訂0.36至0.32微米的64Mb DRAM技術授權合約，並投資在美國矽谷成立的創世紀半導體公司（Genesis Semiconductor），經營積體電路設計及行銷業務；南亞科技至2007年底持有該公司58.11%股權，2008年度自合併個體除列；1997年7月美國分公司在聖荷西成立，8月64Mb DRAM投片試產。 1998年DRAM市況低迷，南亞科技反而在4月為晶圓二廠動土，並於同年11月與IBM簽訂0.2至0.175微米、64Mb至256Mb的DRAM技術移轉合約，同月單月營業額首度突破新台幣10億元。這項為期三年的交叉授權讓南亞科技取得IBM三個世代的製程與產品設計，IBM則承諾採購相當比例的產能，並由南亞科技代工其自有品牌產品；南亞科技美國公司副總裁兼總經理肯·赫爾利（Ken Hurley）當時表示，這項聯盟是南亞科技「致力成為擁有最先進技術的全球DRAM供應商」的關鍵。 1998年10月，南亞科技美國公司在德州休士頓設立記憶體設計中心，開發供無線通訊、網路、運算與多媒體市場使用的DRAM與SDRAM產品。 1999年10月0.20微米的64Mb SDRAM量產，全年營收92.7億元、稅後純益12.7億元。 2000年2月晶圓二廠開始投片試產，7月南亞科技以每股新台幣62元辦理公開申購，8月17日在臺灣證券交易所掛牌，同年底月產出可達44,000片。 上市後技術引進仍在持續，2000年10月與IBM簽訂0.14與0.11微米共同研發合約，2001年5月與美商矽儲科技簽訂0.25與0.18微米代工及高階快閃記憶體共同研發合約，同年6月全面量產0.175微米的128Mb與256Mb DRAM。 針對消費通路的自有模組品牌Elixir亦於2001年推出。
與英飛凌合資和華亞科技
2002年5月，南亞科技與德國英飛凌在慕尼黑與桃園同步宣布合作意向，雙方將自當年10月起共同開發0.09與0.07微米的300毫米製程並分攤研發費用，並設立各持股一半的合資公司生產DRAM，廠址選在南亞科技既有廠區附近的桃園。 同年11月13日雙方正式簽約，合資公司即華亞科技，規劃第一階段於2004年下半年達到月產約20,000片、第二階段2006年年中約50,000片，未來三年總投資約22億歐元，由雙方各出資5.5億歐元至2005年；南亞科技總經理連日昌當時預期此舉可使南亞科技躋身「全球第四大DRAM廠並取得兩位數市占」。 華亞科技的12吋廠設於桃園華亞科技園區，2004年4月開始投片，初期採110奈米深溝渠電容製程，總投資約22億美元。時任華亞科技總經理的高啟全表示，該廠「在僅僅18個月的紀錄時間內完成建廠並開始爬坡」。2005年6月南亞科技90奈米技術通過認證，9月再與英飛凌簽訂60奈米共同研發合約；2006年3月南亞科技自有的第一座12吋廠晶圓三廠動土興建。同年英飛凌將記憶體事業分拆為奇夢達，並在2006年5月前把華亞科技的半數股權一併移轉，此後奇夢達接替英飛凌成為臺灣夥伴的對口，並表示與在地夥伴的業務不會有重大改變。2006年9月，南亞科技與奇夢達共同研發的70與75奈米技術通過認證。
金融海嘯與美光結盟
2008年3月，南亞科技與美光科技簽署意向書，探討技術共享與共同開發，聚焦50奈米以下製程；同年4月雙方正式簽約成立各持股一半的亞美科技（MeiYa Technology），各自於2009年底前投入5.5億美元現金，並將南亞科技一座200毫米廠升級為300毫米廠。 亞美科技最終未獨立量產。美光在2008年10月取得華亞科技股權後，雙方於同年11月簽署一系列協議終止原合資安排，停止對亞美科技的後續出資與資源投入，並將其資產出售予華亞科技；2011年第二季雙方各收回4,800萬美元，2012年5月美光收回最後一筆投資。然而記憶體價格在該年急速崩跌，2008年第三季DRAM價格下跌38%。 財務吃緊的奇夢達於同年10月將所持華亞科技35.6%股權以4億美元售予美光，同樣持股35.6%的南亞科技放棄優先購買權；南亞科技發言人白培霖表示，此一交易「有助於南亞科技取得更強的技術支援」。 南亞科技2008年全年營收363.12億元，稅後淨損352.29億元，每股淨損7.54元。奇夢達則於2009年1月23日在歐洲聲請破產，其美國子公司隨後在德拉瓦州聲請第11章重整。 面對全產業虧損，政府在2009年推動成立台灣記憶體公司整併國內業者，南亞科技與美光拒絕加入。華亞科技助理副總弗雷德·菲什伯恩（Fred Fishburn）指出，最大的顧慮是「技術污染」，擔心技術外流至爾必達；南亞科技董事長吳嘉昭則表示，希望政府改以認購南亞科技與華亞科技新股的方式協助。同年10月20日，南亞科技對政府提出的「DRAM產業再造方案」正式決定不送件，理由是產業情勢已與一年前不同，「整合或整併最佳時機也已過」，並強調自身已建立近800人的研發團隊。 立法院預算中心的研析報告則記載，2008年臺灣DRAM業者虧損合計新台幣1,171.9億元、長期借款3,195.22億元，並指各廠商「發現加入TMC可能失去自主權後，已決定自謀生路」。該中心並指出，臺灣雖是全球最大的DRAM生產基地、產量約占全球四成，「惟多數廠商以技術授權之方式代工，技術來源都不同，取得成本很高，廠商間亦未彼此合作，故我國廠商難以成為世界級公司」；當時國內業者分屬美光與爾必達兩大技術系統，南亞科技與華亞科技屬前者，茂德科技與海力士合作，力晶與瑞晶屬爾必達陣營，華邦電子則與奇夢達合作。《IEEE Spectrum》的報導亦指出，臺灣當時擁有六家DRAM廠，合計營收卻不到全球的15%，而南亞科技與華亞科技選擇的替代方案，是申請政府貸款以改造產線、導入美光的新技術。 為彌補虧損並改善財務結構，南亞科技董事會於2009年4月決議減資新台幣311.78億元，每千股銷除664.3股，減資比率達66.43%。同年6月完成私募10億股普通股，每股12.22元、募得122.2億元，應募人為南亞塑膠、台灣化學纖維、台灣塑膠、台塑石化、麥寮汽電與長庚醫療財團法人，資金用於晶圓三廠的50奈米堆疊式製程轉換；11月5日，南亞科技股票脫離全額交割股。技術上，南亞科技在2009年下半年先後導入68奈米與50奈米堆疊式製程生產1Gb DDR3，2010年2月與美光共同發表採用銅製程的42奈米2Gb DDR3，同年第四季42奈米量產，2011年7月再試產30奈米。 2012年4月，南亞科技將8吋晶圓廠資產與營業分割至新設的勝普電子，轉作多元晶圓代工，製程以110奈米為主流、最高可達65奈米，代工產品包括功率半導體與快閃記憶體。同年8月28日董事會決議，連日昌自即日起改任副董事長、9月1日解任總經理，由董事高啟全兼任總經理。2014年7月，南亞科技出售勝普電子的8吋晶圓廠房及設備。
出售華亞科技與技術自主
2015年10月6日，高啟全辭任總經理，由李培瑛接任。李培瑛為雪城大學化學工程博士，1996年進入南亞科技擔任產品開發處長，2005年至2012年任研發與全廠製造資深副總，2012年起兼任發言人。兩個月後，南亞科技宣布支持台灣美光收購華亞科技，收購價每股新台幣30元，南亞科技將出售所持24.2%股權取得約476億元，同時以最高315億元投資美光私募新股，並取得美光1x與1y世代DRAM技術的授權選擇權。 2016年11月9日，南亞科技董事會通過以每股17.29美元認購美光57,780,138股新股，總額新台幣314.57億元，約占美光已發行股份的5.26%；認購價較美光前一交易日收盤價折讓0.69%。《台北時報》報導稱此舉使南亞科技成為美光最大股東。認購於同年12月2日完成，華亞科技的股份轉換則在12月6日生效，南亞科技將所持1,587,483,714股全數以每股30元轉讓，總價476.2億元，並自估稅前處分利益199.7億元、稅後186.4億元，列入2016年第四季財報；原合資協議隨之終止，改簽合作意向書。美光在向美國證券交易委員會申報的季報中則記載，其以41億美元現金取得未持有的67%華亞科技股權，交易前美光持股33%、南亞科技及其關係企業合計持股32%。 出售華亞科技後，南亞科技集中資源推進自有12吋廠的製程微縮。20奈米設備於2016年10月進場、2017年3月試產，同年12月8Gb DDR4量產。2017年8月1日，位於泰山南林園區的新總部落成，連同新廠房與設備總投資約新台幣557億元，製程由30奈米轉進20奈米，兩個世代合計月投片量可達68,000片。2018年7月，南亞科技取得封測廠福懋科技19%股權。2020年1月，南亞科技宣布成功以自主研發完成10奈米級DRAM新型記憶體單元技術，脫離長期倚賴外部授權的模式；李培瑛表示自主研發的成本遠低於與美光合作，時任副總經理蘇林慶則說明自主研發分為1A、1B、1C三個世代，每一世代單位晶圓的顆粒數約增加三成。
擴廠與人工智慧需求
2021年1月第一代10奈米級製程試產，同年4月南亞科技宣布投資新台幣3,000億元，在新北市泰山南林科技園區興建12吋新廠，滿載月產能約4.5萬片並新增2,000個職缺，當時規劃2021年底動工、2023年完工、2024年第一階段量產。新廠於2022年6月23日動土，由台塑企業總裁王文淵與南亞科技董事長吳嘉昭主持，總統蔡英文、新北市長侯友宜等約320人出席；官方說明改稱預計2025年開始裝機投片，並將採用自主研發的1A至1D共四個10奈米級世代。王文淵在典禮上指出，即使歷經2007年至2012年DRAM市場劇烈變動與2008年金融海嘯，台塑企業仍支持南亞科技度過逆境，並強調「若無研發自主，技術及擴產將無法自我掌控」。 2025年5月28日股東常會全面改選董事後，吳嘉昭卸任董事長，由曾長期擔任南亞塑膠總經理的鄒明仁接任。同年第二季起，主要記憶體大廠陸續調整產能配置，宣布終止供應DDR4與LPDDR4，並將產能升級至高頻寬記憶體與高容量DDR5，各類DRAM價格顯著上揚；南亞科技第三季單季獲利15.6億元而終結連續虧損，第四季獲利再攀升至110.9億元。2026年3月，南亞科技以每股223.9元辦理私募，發行逾35萬張普通股募得787.18億元，由晟碟、鎧俠、SK海力士旗下Solidigm與思科四家客戶認購；私募於4月8日完成，四家合計持有增資後股本的10.19%，並同時簽署約25億美元的多年期供應長約。同年8月5日，董事會通過泰山5A新廠2026年至2029年不超過新台幣3,466億元的資本支出計畫，並將2026年度資本支出由520億元上調至697億元。
製程技術
DRAM把每一個位元存放在一顆微小的電容裡，製程節點的數字越小，代表同一片晶圓上能排進越多記憶體單元，單位成本因而下降，所以節點微縮是DRAM廠獲利的主要來源。南亞科技早期的節點全數來自外部授權，1996年與沖電氣工業簽的是0.36至0.32微米，1998年與IBM簽的是0.2至0.175微米，2002年與英飛凌共同開發0.09與0.07微米，2005年再簽60奈米，2006年與奇夢達共同研發的70與75奈米通過認證。 2009年是製程路線的轉折點。南亞科技原本沿用英飛凌授權的深溝渠電容技術，改與美光合作後轉向堆疊式電容，當年下半年先後導入68奈米與50奈米堆疊式製程。美光企業發展副總麥可·薩德勒（Michael Sadler）其後就華亞科技的同一轉換表示，為盡量沿用既有設備而由深溝渠改為堆疊，「在某些情況下這可能不是最好的決定，它拖慢了轉換」，50奈米製程的轉進因而不順。轉換完成後節點推進轉快，2010年與美光共同發表採銅製程的42奈米並於第四季量產，2011年7月試產30奈米。20奈米世代仍屬授權範圍，南亞科技是取得美光1x與1y世代的製程與產品授權以支援內部開發，2017年3月試產、同年12月量產8Gb DDR4。 2020年1月宣布自主開發成功的10奈米級記憶體單元技術，結束長期倚賴外部授權的模式。第一代1A於2021年1月試產，並規劃於2022年下半年量產，第二代1B隨後進入試產；以1B製程生產的8Gb DDR4與16Gb DDR5於2024年完成出貨驗證；同年公司並以製程微縮使每片晶圓的產出提升三成。第三代1C的先導產品16Gb DDR5預計2026年下半年完成驗證，第四代1D的先導產品則於2026年第二季導入試產。研發投入方面，2024年研發費用占營收22.5%，研發人員占員工總數29.7%，當年取得910件專利，累計核准專利逾7,700件，並連續三年獲科睿唯安列為全球百大創新機構。 南亞科技導入極紫外光微影的規劃隨計畫演進而數度調整。2021年宣布新廠時，官方說法是新廠將以自主研發的10奈米級製程搭配極紫外光微影生產；2022年動土時，董事長吳嘉昭則說明要到第四世代1D才需導入該設備，1A至1C尚不需要；到2026年7月的法說會，公司改稱1C、1D、1E與極紫外光微影的開發均按進度進行。荷蘭產業媒體《Bits&Chips》據此指出，南亞科技可望成為艾司摩爾的新極紫外光微影設備客戶。
產品線
南亞科技的產品線分為標準型DRAM、低功耗行動DRAM、良裸晶、多晶片封裝與記憶體模組五類，密度涵蓋512Mb至16Gb。標準型DRAM包含DDR2至DDR5，低功耗行動DRAM包含LPDDR2至LPDDR5X；良裸晶是不經封裝、直接交付客戶自行整合的晶粒，南亞科技自稱為此一領域的主要供應商；多晶片封裝則把低功耗DRAM與快閃記憶體或控制器整合在同一封裝內，以縮小體積。記憶體模組涵蓋SODIMM、CSODIMM、UDIMM、CUDIMM、RDIMM與LPCAMM2等規格，另有2001年推出、行銷逾六十國的消費通路自有品牌Elixir。應用面則區分為家用影音娛樂、企業與辦公、行動與手持裝置、工業控制與車用五大類。 產品組合明顯偏向成熟規格。李培瑛在2026年1月的法說會說明，DDR4與低功耗DDR4合計約占出貨七成，DDR5約占營收一成。同一時期，由於三大廠將產能轉向高頻寬記憶體與DDR5，DDR4與LPDDR4供給吃緊，南亞科技反而成為該市場最具議價能力的供應商之一。李培瑛在2026年5月表示，客戶正積極尋求長約以確保穩定供應，合約期間最長達三年，而南亞科技各類DRAM產品的毛利率均高於高頻寬記憶體。
客製化記憶體
南亞科技並未投入主流高頻寬記憶體。李培瑛明確排除在HBM2、HBM3、HBM3E與HBM4等規格上與三大廠競爭，理由是南亞科技在產能規模、成本效率與投資能力上都不具條件。替代路線是為邊緣人工智慧裝置開發客製化的超高頻寬記憶體。2025年8月，南亞科技與鈺創科技以新台幣5億元合資成立公司，雙方持股八比二，設於新竹市，目標在2026年底推出可用於人工智慧個人電腦、智慧型手機、機器人與車用的客製化產品。 技術上，這條路線的核心是不依循JEDEC標準的UltraWIO架構，比照高頻寬記憶體與繪圖處理器配對的方式大幅增加資料通道，並規劃以晶圓對晶圓鍵合進行三維堆疊整合。南亞科技資深副總經理吳志祥表示，此一架構的頻寬可較高頻寬記憶體提高五到十倍，每傳輸一位元的能耗則降至三分之一至十分之一；他並在2026年7月的一場論壇上指出，「高頻寬記憶體（HBM）已經不是所有AI應用的最佳選擇」。 分工上，客製化產品的封裝夥伴是福懋科技，南亞科技自2018年起持有其19%股權；福懋科技自2025年起新建先進封裝廠，導入晶圓凸塊、重布線層與矽穿孔製程，主要供應伺服器用的高容量DDR5記憶體模組。在設計端，南亞科技於2024年12月宣布以每股30元認購補丁科技（PieceMakers Technology）現金增資最多2,200萬股、投資總額上限新台幣6.6億元，取得上限約38%股權，結合自身10奈米級製程與該公司的客製化DRAM設計能力共同開發超高頻寬記憶體；2026年8月，南亞科技董事會決議配合補丁科技申請登錄興櫃，以每股不低於545元將71萬5,000股轉讓予其輔導推薦證券商供造市之用，交易完成後仍持有約33.96%股權。另一條技術路線是2024年10月宣布與鎧俠共同開發的垂直通道電晶體DRAM，以氧化物半導體作為電晶體通道，達成比傳統矽基6F2更小的4F2記憶體單元並大幅降低漏電流，雙方於同年12月的國際電子元件會議上共同發表。
廠區與產能
南亞科技創立初期的總部設於桃園，晶圓一廠與二廠分別於1995年與1998年動土，其中二廠興建於林口工業區；至2009年，南亞科技在臺灣同時擁有200毫米與300毫米晶圓廠。與英飛凌合資的華亞科技12吋廠設於桃園華亞科技園區，南亞科技本身至2011年向美國國際貿易委員會提訴時的登記地址亦位於該園區。8吋產能在2012年分割至勝普電子，2014年連同廠房設備出售；華亞科技的兩座12吋廠在2016年隨股份轉換移交美光。此後南亞科技的重心移往新北市泰山區南林科技園區，晶圓三廠於2006年3月動土，北棟廠房2015年7月動土，新總部則在2017年8月落成，連同廠房與設備投資約新台幣557億元，30奈米與20奈米合計月投片量達68,000片。依經濟部產業發展署的綠色工廠標章資料，南亞科技三廠登記地址為新北市泰山區南林路98號及115號，主要產品為DRAM。 新廠其後定名為5A廠，位於南林科技園區內的林口特定區工十二工業區，開發土地約12.03公頃、總開發量體達11萬6,849坪，分為主廠房、水資源再生中心、清水廠與研發大樓四區，採雙層無塵室設計。2022年6月23日動土時的規劃為投資新台幣3,000億元、2025年開始裝機投片，滿載月產能4.5萬片，可使全公司晶粒位元產出成長120%，年產值逾700億元並提供約3,000個工作機會。2026年8月，董事會將2026年至2029年投入5A新廠的資本支出上限訂為3,466億元，時程亦順延為2027年下半年開始投片、2028年月產3萬片、2029年3萬5,900片，最終規劃約4.5萬片，並將導入1B至1E製程與極紫外光微影設備。2026年度的資本支出扣除自前一年遞延的部分後，約七成用於廠房、無塵室與土建工程，三成為生產設備；8月增列的177億元則主要用於支付5A新廠所需的設備預付款。新廠約需1,500名新進人員，至2026年7月已招募約半數。 現有廠區在2025年下半年起接近滿載，南亞科技自2026年起評估新的廠址。市場傳出的地點包括雲林與屏東，公司則回應「有鑑於公司長期策略發展，將持續與相關主管機關合作，並評估未來可能所需之新廠用地」。海外方面，南亞科技1997年設立美國分公司，1998年在德州休士頓設立產品設計中心，其後陸續在香港、東京、德國、昆山與上海設立據點。美國的設計業務由全資子公司南亞科技德拉瓦公司承接，分設於德州休士頓近郊的舒格蘭與佛蒙特州威利斯頓兩處設計中心，負責積體電路設計與佈局。
市場與競爭
全球DRAM市場高度集中於三家廠商。依集邦科技統計，2026年第一季三星電子營收373.2億美元、市占38.5%，SK海力士279.8億美元、28.8%，美光217.5億美元、22.4%。南亞科技與華邦電子、力積電等臺灣業者則以成熟節點的DRAM填補三大廠轉向先進製程後留下的缺口；南亞科技2025年第四季營收9.70億美元、季增54.7%，2026年第一季再增60%至15.5億美元，主因DDR4與DDR3合約價大漲。 依南亞科技2025年年報，其市場占有率約1.4%，全球主要DRAM供應商為三星電子、SK海力士、美光、長鑫存儲與南亞科技；同年營收依應用領域劃分，消費型電子產品約占55%、個人電腦系統約21%、低功率產品約19%，資料中心與伺服器僅約5%。依客戶所在地劃分，2025年香港的266.7億元最高，其次為臺灣的138.1億元與中國大陸的109.2億元。 客戶結構隨人工智慧需求而快速改變。2026年上半年，人工智慧基礎設施與伺服器相關產品已貢獻逾兩成營收，長短期供貨合約涵蓋約半數產能。中央社報導，輝達是南亞科技多年的客戶，Google、微軟、英特爾與超微亦在客戶之列；2026年6月，南亞科技與三星電子、美光、SK海力士一同名列高通首波人工智慧資料中心生態系夥伴，是臺灣記憶體廠首次進入此類名單。2026年3月引進的四家私募投資人晟碟、鎧俠、Solidigm與思科同樣都是客戶，入股同時簽署約25億美元的多年期供應合約；日本鎧俠投入約4.9億美元，動機是確保其固態硬碟所需的DRAM供應。 對於產業性質的判斷，南亞科技高層近年主張記憶體正由景氣循環轉為結構性成長。董事長鄒明仁在2026年股東常會上表示，「記憶體產業以往是屬於景氣循環，目前因為AI需求逐漸改變為結構性增長的經營型態，未來獲利的關鍵是掌握先進技術」；吳志祥則預估2026年全球記憶體市場規模上看8,000億美元，將占半導體營收近五成，遠高於歷史平均約三成的水準。
財務
南亞科技的營收與獲利隨記憶體價格劇烈起伏。2008年金融海嘯期間全年稅後淨損352.29億元，每股淨損7.54元，翌年辦理大幅減資並由關係企業私募增資。2016年出售華亞科技股份帶來估計稅後186.4億元的處分利益，該年稅後淨利237.3億元、每股盈餘8.67元；2017年淨利再增至402.9億元、每股盈餘14.36元，為2026年以前的年度高點。營收高峰則出現在2018年的847.2億元與2021年的856.0億元，兩度隨即回落，2023年更跌到298.9億元的谷底並轉為淨損74.4億元。2024年營收回升至341.3億元，仍為淨損50.8億元、每股淨損1.64元。 轉折出現在2025年第三季。當季稅後純益15.63億元、每股盈餘0.5元，終結自2022年第四季以來連續11季的虧損；平均售價季增逾四成、銷售量季增逾二成。第四季獲利再攀升至110.9億元，全年稅後淨利66.1億元、每股盈餘2.13元。2026年第二季營收825.49億元、季增68.2%，毛利率79.5%，稅後淨利501.92億元、每股盈餘14.66元；上半年累計營收1,316.4億元、稅後淨利762.5億元、每股盈餘23.38元。同期平均售價較前一季上漲逾六成，位元出貨量則大致持平；作為對照，美光同期含高頻寬記憶體在內的合併毛利率為85%。 資本支出的變動同樣劇烈。2023年、2024年與2025年分別為132億元、161億元與134億元，2026年原編列520億元、8月上調至697億元；李培瑛另表示2027年可望增至逾2,000億元，惟該數字仍屬初步規劃、尚未提報董事會。信用評等方面，惠譽國際信用評等台灣分公司給予長期評等A-(twn)、短期評等F2(twn)，展望穩定。 股價在2025年至2026年間大幅上揚。南亞科技2025年全年漲幅達559.83%，並於同年12月納入富時臺灣50指數；2026年8月13日盤中攻上530元的歷史新高，同月獲摩根士丹利資本國際納入全球標準指數，市值約新台幣1.4兆元。
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