美光科技
美光科技公司（英語：Micron Technology, Inc.）是一家美國跨國半導體公司，設計與製造電腦記憶體和資料儲存產品，主力包括動態隨機存取記憶體（以下簡稱為DRAM）、快閃記憶體、高頻寬記憶體與固態硬碟。公司於1978年創立於美國愛達荷州波夕，是美國唯一的主要電腦記憶體製造商。
概述
美光科技公司（英語：Micron Technology, Inc.）是一家美國跨國半導體公司，設計與製造電腦記憶體和資料儲存產品，主力包括動態隨機存取記憶體（以下簡稱為DRAM）、快閃記憶體、高頻寬記憶體與固態硬碟。公司於1978年創立於美國愛達荷州波夕，是美國唯一的主要電腦記憶體製造商。 美光長期以Crucial（中國大陸譯英睿達）品牌行銷消費性記憶體與固態硬碟，並以子品牌Ballistix鎖定電競市場，然而在人工智慧帶動資料中心記憶體需求大幅成長後，公司於2026年2月結束消費業務、聚焦企業與資料中心市場。美光曾與英特爾合資成立IM Flash Technologies生產NAND型快閃記憶體，並於2006年至2017年間擁有記憶卡品牌雷克沙。桑賈伊·梅洛特拉自2017年起出任美光總裁兼執行長。 美光的營運深受記憶體產業景氣循環影響，價格與獲利隨景氣循環劇烈波動：2023財政年度因產業低谷出現逾58億美元的淨虧損，執行長形容為記憶體業十三年來最嚴峻的衰退。隨後在人工智慧需求帶動下大幅回升，2025財政年度營收達373.8億美元的歷來新高，較前一年成長近五成；2026年5月26日，美光股價單日上漲約一成九，市值首度突破1兆美元。 在地緣政治層面，美光是美中科技角力的焦點之一。2017年，美光控告中國大陸與台灣業者竊取其DRAM營業秘密；2023年，中國大陸以國家安全為由禁止關鍵資訊基礎設施採購其產品，外界多視為對美方半導體出口管制的報復。另一方面，身為唯一的美國本土記憶體製造商，美光藉由美國《晶片與科學法案》的補助，於美國本土及新加坡、日本、印度等地展開總額逾2000億美元的擴廠投資。
創立與美日記憶體大戰（1978年–1980年代）
美光於1978年10月5日創立於愛達荷州波夕。三名離開莫斯泰克的設計工程師沃德·帕金森（Ward Parkinson）、丹尼斯·威爾遜（Dennis Wilson）與道格·皮特曼（Doug Pitman），連同沃德的雙胞胎兄弟、原任華爾街律師的喬·帕金森，在一間牙醫診所的地下室裡以四人之姿創辦這家半導體設計顧問公司。公司起步時僅有約900萬美元資本，遠低於半導體業通常認為至少需要1億美元的門檻。創業資金來自當地多位愛達荷州商人，其中以馬鈴薯事業致富的億萬富翁J·R·辛普勞（J. R. Simplot）為最重要的投資人；據《晶片戰爭》作者克里斯·米勒記述，辛普勞最初投入約100萬美元，最終增值為價值十億美元的持股。1981年，公司由設計顧問轉型為製造商，第一座晶圓廠落成並開始生產64K DRAM晶片。 1984年，美光在那斯達克掛牌上市，當年以8400萬美元營收創造2900萬美元的稅後盈餘。然而隨即而來的記憶體價格大幅下跌，公司經營一度陷入困難。1980年代中期，美光在日本廠商主導的市場中艱困經營：面對日本業者的低價傾銷，美光奉行「以最低成本生產最高品質產品」的經營哲學，憑藉較小的晶粒面積壓低成本，其晶片一度較摩托羅拉的產品小四成、較日立小一成五。1985年秋，美光帶頭對六家日本電子公司提起價值3億美元的反傾銷與反壟斷訴訟。美國商務部其後於1986年6月應美光請願，對日本DRAM展開反傾銷調查；該爭端最終促成1986年的《美日半導體貿易協定》。
規模擴張與多角化（1990年代–2011年）
1994年，創辦人喬·帕金森卸任執行長，由史蒂夫·阿普爾頓接任董事長兼執行長，主導公司其後十餘年的擴張。1990年代後期，美光趁個人電腦普及的榮景持續透過併購壯大規模。同樣在1996年，美光成立消費部門「Crucial Technology」，首度直接向終端消費者銷售記憶體升級模組，標誌其正式跨入消費市場，此即日後Crucial品牌的起點。美光在這段期間規模最大的併購，是1998年10月收購德州儀器的半導體記憶體事業。依交易條件，德州儀器取得約2890萬股美光股票（價值約8.81億美元）、約7.4億美元的票據與一筆2.1億美元的次順位票據；美光則一舉取得義大利阿韋扎諾、美國德州理查森，以及新加坡、日本等地的晶圓廠與封測設施，大幅擴充其全球產能與客戶基礎。 進入二十一世紀，美光由製程技術創新驅動成長，並逐步跨足快閃記憶體與消費產品。2000年代初，公司工程師古爾捷·辛格·桑杜等人投入原子層沉積高介電常數薄膜的研發，協助DRAM以更低成本量產；桑杜並開創出間距加倍製程，大幅縮小NAND快閃記憶體的線寬。 2006年，美光與英特爾合資成立IM Flash Technologies，雙方各投入約12億美元，於猶他州里海生產NAND快閃記憶體；這項合資其後成為兩家公司共同開發新型記憶體的平台，並於2015年發表號稱速度遠勝傳統快閃記憶體的3D XPoint技術。同年6月，美光以約8.5億美元收購快閃記憶卡製造商雷克沙。2008年金融海嘯期間，記憶體售價大幅下跌，美光宣布兩年內裁員一成五（當時全球約有23,500名員工），並暫停部分NAND產能。2010年2月，美光宣布以約12.7億美元的全股票交易收購由英特爾、意法半導體與私募基金共同持有的快閃記憶體商Numonyx，並於同年5月完成交割，進一步擴大其NOR與NAND快閃記憶體版圖。
整併、領導更迭與人工智慧轉型（2012年至今）
2012年2月3日，執行長阿普爾頓駕駛實驗性飛機自波夕機場起飛後不久墜毀身亡，得年51歲，營運長馬克·德肯隨即接任執行長。同年7月，美光宣布收購爾必達。這家日本最後的主要DRAM廠在社長坂本幸雄主導下於2012年初聲請破產保護，為當時日本史上規模最大的製造業破產案之一。整筆交易總對價約2000億日圓（約25億美元），其中取得爾必達百分之百股權的對價約600億日圓（約7.5億美元），其餘為分期至2019年支付的款項。2013年7月收購完成後，美光連同爾必達與其在台合資廠瑞晶電子（Rexchip）每月可多產逾18.5萬片300毫米晶圓，產能增加約45%，全球DRAM市占升至約25%、與SK海力士相當而僅次於三星的42%。透過爾必達，美光成為蘋果公司iPhone與iPad的重要記憶體供應商。2016年12月，美光以約40億美元完成對台灣華亞科技的全面收購；華亞科原為南亞科技與英飛凌（後由奇夢達承接）於2003年成立的合資廠，美光自2008年起即持有其部分股權。經過這一輪整併，全球DRAM市場形成三星、SK海力士與美光三強鼎立的格局。 2017年4月，美光宣布由晟碟共同創辦人桑賈伊·梅洛特拉接替馬克·德肯出任總裁兼執行長，自同年5月8日生效。同年6月，美光結束雷克沙的零售業務，該品牌其後由中國深圳的快閃記憶體業者江波龍收購。2021年3月，美光宣布終止與英特爾合作開發的3D XPoint記憶體，並於同年10月將里海晶圓廠以9億美元現金售予德州儀器。 2020年代中期，人工智慧運算對高頻寬記憶體的需求成為美光成長的主要動力。隨著美國《晶片與科學法案》通過，美光宣布在美國本土及海外投入大筆資金擴廠。2025年12月，美光宣布退出以Crucial品牌經營的消費記憶體業務，將產能轉向資料中心與企業客戶。執行階層稱公司產能「供不應求」，並預估高頻寬記憶體的潛在市場規模到2028年將達1000億美元、年複合成長率約四成；2026年的HBM產能更已全數透過協議鎖定。2026年5月26日，受人工智慧記憶體需求帶動，美光股價單日上漲約一成九，市值首度突破1兆美元；投資銀行瑞銀同步將其目標價自每股535美元上調至1,625美元。
產品與技術
美光的核心產品是兩大類半導體記憶體。記憶體採晶圓廠大量生產，屬高度標準化的商品，價格與獲利隨供需大幅波動而呈現明顯的景氣循環，是美光營運的一大特徵；公司在2023財政年度的低谷一度淨虧損逾58億美元。
動態隨機存取記憶體
DRAM是美光營收占比最高的產品。在這個由三星電子、SK海力士與美光主導的寡占市場中，據TrendForce統計，2025年第四季三星以36%的DRAM營收市占居首，SK海力士為32.1%，美光則為22.4%。製程技術上，DRAM廠商約自2010年代中期起不再公布實際奈米數，改以世代代號標示。美光以希臘字母標示的10奈米級世代包括1α（1-alpha，2021年量產）、1β（1-beta，2022年）與1γ（1-gamma，2025年，即10奈米級第六代）。美光是三大DRAM廠中最晚導入極紫外光微影者，1α與1β世代均以深紫外光多重曝光達成，直到2025年的1γ世代才將EUV用於量產；該世代率先於日本與台灣的晶圓廠導入，美光並宣稱為業界首家送出1γ DRAM樣品的廠商。
NAND快閃記憶體
NAND快閃記憶體方面，美光在堆疊層數上一度居於領先。2022年，美光推出業界首款232層3D NAND，單位面積位元密度較前一代176層產品高出逾45%，單顆晶片容量達1 Tb。其後的世代改採取代式閘極（replacement gate）結構（以金屬字元線取代多晶矽），降低字元線電阻並支援更高層數堆疊，第九代（G9）NAND於2024年7月量產，率先應用於Micron 2650 NVMe固態硬碟。不過在NAND整體營收市占上，據TrendForce統計，美光2025年第二季約為13.3%，居第四位。
高頻寬記憶體
高頻寬記憶體是2020年代美光成長最迅速的產品線。2024年2月，美光宣布量產供輝達H200加速器使用的24 GB八層HBM3E，打破SK海力士先前的獨家供應，並標榜功耗較對手低三成。其後推出的12層（12-Hi）HBM3E較業界標準的八層版本容量增加五成、功耗降低約兩成，並同時供應輝達的Blackwell平台與AMD的MI350加速器。在下一代HBM4上，美光於2026年第一季進入量產，供應輝達的Vera Rubin平台，宣稱每接腳資料傳輸率逾每秒11 Gb、頻寬超過每秒2.8 TB，為HBM3E的2.3倍。在需求強勁下，美光表示2026年的HBM產能已全數透過協議鎖定價格與數量。
繪圖記憶體
美光在繪圖記憶體（GDDR）領域占有獨特地位。2020年9月，美光與輝達合作，於GeForce RTX 3090與RTX 3080繪圖卡上首發GDDR6X，並透過四階脈衝振幅調變達成領先業界的頻寬。GDDR6X未經JEDEC標準化，且由美光獨家為輝達生產。2024年，美光推出採用PAM3訊號的GDDR7，每接腳資料速率達每秒32 Gb。
製程技術與研發
美光的製程創新長期由技術院士古爾捷·辛格·桑杜主導。桑杜自2000年起推動原子層沉積高介電常數薄膜，使DRAM電容得以微縮，並發明間距加倍製程，大幅縮小NAND的線寬；他持有逾1300項美國專利，是美國史上最多產的發明人之一。2025年2月，美光成為業界首家出貨採用EUV的1γ DRAM樣品的廠商，較前一代每片晶圓位元產出提升逾30%。
固態硬碟與消費品牌
美光也生產企業級與消費級固態硬碟。2026年，美光的9650系列量產，成為業界首款以PCIe Gen6介面大量出貨的資料中心固態硬碟，循序讀取速度達每秒28,000 MB。在消費市場方面，源自1996年消費部門的Crucial品牌經營消費級DRAM模組與固態硬碟近三十年，並自稱是最早直接向消費者銷售記憶體的公司，亦以子品牌Ballistix鎖定電競客群（已於2022年停止）；隨著公司聚焦人工智慧與資料中心，Crucial於2026年2月正式退場。
全球設施
截至2026年，美光在全球設有15座製造廠、13座客戶實驗室與21處設計中心，分布於美國、印度、日本、馬來西亞、新加坡、台灣與中國等七個國家或地區。大致而言，先進DRAM的晶圓製造集中於台灣、日本與美國，NAND晶圓製造以新加坡為核心，封裝測試則分布於台灣、新加坡、中國西安與印度等地。
维基百科贡献者 · 美光科技 · 版本 93484263 · CC BY-SA 4.0 · 已提取纯文本并调整版式；标签根据原文关联词整理。