# 长鑫存储

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Language: zh-CN

Published: 2026-10-24T20:38:43.271Z

Updated: 2026-10-24T20:38:43.271Z

长鑫存储技术股份有限公司（英語：ChangXin Memory Technologies，简称长鑫存储，上交所：688825）是一家总部设于中华人民共和国安徽省合肥市的集成电路企业，其核心业务聚焦于动态随机存取存储器（DRAM）的自主设计、晶圆制造及成品测试。

## Key facts

## 概述

长鑫存储技术股份有限公司（英語：ChangXin Memory Technologies，简称长鑫存储，上交所：688825）是一家总部设于中华人民共和国安徽省合肥市的集成电路企业，其核心业务聚焦于动态随机存取存储器（DRAM）的自主设计、晶圆制造及成品测试。 该公司采取垂直整合制造（IDM）运营模式，是当前中国大陆唯一能够实现通用型DRAM产品大规模量产并进入主流市场的供应商。截至2026年初，长鑫存储的全球市占率已攀升至第四位，位居三星、SK海力士与美光之后。 业内常将其与专攻NAND闪存的长江存储并列，视为中国存储芯片产业自主发展的两大支柱，但两者产品方向与技术路线截然不同。

## 历史

长鑫存储的前身可追溯至2016年在合肥成立的睿力集成电路有限公司，其后逐步整合为如今的经营主体，公司成立以来始终将DRAM作为核心业务方向。 2019年，长鑫存储对外宣告其自主研发的首颗8GB容量的DDR4颗粒成功试产，这被视为中国DRAM产业获得实质性突破的里程碑事件。此后，公司步入工艺迭代与良率提升的漫长爬坡期，陆续完成了从第一代至第四代制程技术平台的演进。 2023年末，长鑫存储推出首款自研LPDDR5低功耗芯片，进一步拓宽了移动端产品线。至2025年度，公司首次实现全年财务盈利，结束了此前数年的高投入亏损阶段。进入2026年后，受人工智能算力需求带动全球DRAM供不应求、价格持续走高的影响，公司业绩出现爆发式增长，当年一季度营收与净利润较上年同期均实现数倍乃至十余倍的增长。 根据市场研究机构Omdia的数据，按2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已达到7.67%，位列全球第四、中国第一，按2026年第一季度收入计算，其全球份额进一步增长至约8%。 2025年7月，长鑫存储启动首次上市辅导，2025年12月，长鑫存储的控股主体“长鑫科技集团股份有限公司”向上海证券交易所递交科创板首发申请。2026年7月27日，该公司以股票代码688825正式挂牌交易，发行定价为每股8.66元，开盘即冲高至49.5元，涨幅超过470%，总市值随之突破3万亿元人民币，创下科创板开板以来的市值新纪录，并超过工商银行，成为A股市场中市值最高的公司。长鑫科技的主要股东来自于合肥市国资委所属企业的关联主体，总持股比例超35%。此外，阿里巴巴集团、腾讯集团、美的集团、小米集团均通过关联主体持有长鑫科技的股权，而前述企业也是核心下游客户。

## 产能与设施

截至2026年，长鑫存储在合肥和北京两地拥有三座12英寸DRAM晶圆厂。其中合肥拥有一期、二期两条生产线，2025年公司整体产能利用率达95.73%；2025年末，公司月产能已达到30万片晶圆，并计划在2026年冲刺40万片月产能规模。

## 竊取技術爭議

2023年12月13日，因涉嫌违反韩国《产业技术保护法》，将18纳米级DRAM核心技术非法转让给长鑫存储，韩国首尔中央地方法院批准逮捕三星电子及有关公司的多名前员工。《韩国经济日报》认为，技术泄漏可能造成约18亿美元损失，案件还涉三星电子供应商的数十人。三星公司和长鑫存储对此没有发表具体回应。 2023年12月18日，合肥市国家安全局带走一名三星电子出身的前长鑫存储韩国籍员工，其被认为向韩国泄露长鑫存储的半导体相关机密，违反中国《反间谍法》。次年5月26日，该员工被检方逮捕和拘留。 2026年8月，韓國首爾中央地方法院開庭審理三星電子技術外洩刑事案件，以證人身分出庭的一名長鑫存儲韓籍前員工称，長鑫存儲自成立之初就打算盜取三星電子的製程配方開發DRAM，從沒有計劃自行研發製程技術。该员工早先被韩国检方认定违法向長鑫存儲洩露三星電子技術，并被判處七年徒刑。

## Sources

- 长鑫存储 · Wikipedia: https://zh.wikipedia.org/?curid=8976601

Source: Wikipedia contributors — https://zh.wikipedia.org/?curid=8976601&oldid=95084900

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